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電源模塊高溫失效原因
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電源模塊高溫失效原因
來(lái)源:
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作者:
pmoaf1d4f
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發(fā)布時(shí)間:
2017-04-27
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2. 3 VDMOS
VDMOS( 垂直雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 在模塊電路中作為開(kāi)關(guān)器件, 在感性負(fù)載下工作, 承受高尖峰電壓和大電流, 具有較高的開(kāi)關(guān)損耗和溫升, 其開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)130 kHz, 在這樣高的頻率下工作, 可能引起內(nèi)部多種退化機(jī)制, 導(dǎo)致VDMOS 的性能下降, 甚至失效。
在本實(shí)驗(yàn)中對(duì)模塊中的VDMOS 單獨(dú)加溫, 測(cè)試模塊電學(xué)參數(shù)的變化, 通過(guò)測(cè)試得到當(dāng)溫度到180℃時(shí), 輸入電流隨溫度的升高有較為明顯的增加。而輸出電壓、輸出電流隨溫度的升高變化較小。此外計(jì)算模塊的輸出效率, 判斷模塊是否處在正常工作狀態(tài), 通過(guò)計(jì)算可到對(duì)VDMOS 單獨(dú)加熱到180℃ 時(shí), 模塊的輸入電流迅速增加。而當(dāng)溫度升至220℃, 輸出電壓幾乎沒(méi)有變化, 由于模塊在150 ℃已經(jīng)失效, 而此時(shí)單獨(dú)加熱溫度已經(jīng)高達(dá)180 ℃,遠(yuǎn)高于模塊整體加熱失效的溫度, 因此VDMOS 的溫度特性不是影響輸出電壓變化的原因。
2. 4 二極管( SBD)
在模塊中使用的二極管有穩(wěn)壓二極管, 整流二極管, 其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸出端, 兩個(gè)整流二極管在不同時(shí)段導(dǎo)通, 使交流脈動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗(yàn)中, 對(duì)電路中的SBD 單獨(dú)加熱, 發(fā)現(xiàn)隨著溫度的升高, 模塊的輸出電壓沒(méi)有較明顯的變化。因此模塊在高溫工作的環(huán)境下, SBD 不是引起模塊輸出電壓下降的主要因素。
2. 5 光電耦合器
光電耦合器( 以下簡(jiǎn)稱光耦) 以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入, 輸出電信號(hào)有良好的隔離作用。光耦一般由3 部分組成: 光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管( LED) , 使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光, 它被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流, 再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電-光-電的轉(zhuǎn)換, 從而起到輸入、輸出隔離的作用。由于光耦輸入輸出間互相隔離,電信號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn), 因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。
在模塊中, 光耦作為隔離輸入、輸出的重要部件, 同時(shí)將輸出端比較放大器輸出的電流信號(hào)傳輸?shù)絇WM的9 腳, 而9 腳是PWM 的補(bǔ)償端, 它與比較器的反向輸入端相連, 控制PWM 的11 腳和14 腳輸出脈沖的寬度。從而調(diào)整模塊的輸出電壓保持穩(wěn)定。
在本實(shí)驗(yàn)中, 首先測(cè)試模塊中使用的光耦NEC2705 的輸入端電流與輸出端電流的比例系數(shù)隨溫度的變化, 輸入端所加電流為11 mA, 結(jié)果表明在25 時(shí),該光耦的電流傳輸比接近1 :1, 但是隨著溫度的升高,輸入電流不變, 輸出端的電流逐漸減小, 大約每升高10 , 光耦的電流傳輸比減小4%。
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